Metodo di Realizzazione di Strutture di Film Epitassiali su Substrati Metallici Laminati

 

Oggetto della presente invenzione è un metodo per la deposizione di un rivestimento multistrato di film sottili epitassiali su materiali metallici laminati privi di tessitura. Il metodo è particolarmente adatto alla produzione di nastri superconduttori di seconda generazione detti Coated conductors, che trovano impiego nelle applicazioni che richiedono la generazione di alti campi magnetici o il trasporto di alte correnti.

La deposizione del multistrato viene realizzata con un processo di crescita epitassiale, che consente di ottenere un rivestimento avente una struttura cristallina definita e uguale a quella del substrato. Ciò che distingue il metodo proposto da quello standard è l'utilizzo di un singolo trattamento termico per indurre la giusta tessitura del substrato e la crescita epitassiale del materiale su di esso. Questo consente di ottenere una semplificazione del processo di realizzazione del rivestimento e quindi una riduzione del costo di produzione rispetto alle altre tecniche attualmente impiegate, che hanno bisogno di ulteriori trattamenti termici di ricristallizzazione del substrato o di ricorrere all’ausilio di fasci ionici. Inoltre, le strutture realizzate con questo metodo presentano migliori proprietà strutturali e morfologiche rispetto a quelle prodotte con metodi standard.

L’invenzione è stata testata con successo per la produzione di film epitassiali con forte tessitura a base di lantanio-zirconio (La2Zr2O7) e cerio (CeO2) su vari substrati metallici, come rame o leghe di nichel e tungsteno.

Il brevetto, di proprietà ENEA, è stato depositato il 2 aprile 2013 con numero RM2013A000190. E’ consultabile nella banca dati Brevetti ENEA dal 9 aprile 2013 ed è disponibile per licensing.
Inventori: Augieri Andrea - Vannozzi Angelo - Celentano Giuseppe